Vahvistinpiiri
Tässä artikkelissa tarkastellaan erittäin epätavallisen vahvistimen kokoonpanoprosessia, joka toimii luokassa A ja sisältää vain 4 transistoria. Englantilainen insinööri John Linsley Hood kehitti tämän järjestelmän jo vuonna 1969 vanhasta iästään huolimatta, ja se on nykyään edelleen ajankohtainen.
Toisin kuin mikrosirien vahvistimet, transistorivahvistimet vaativat huolellisen virityksen ja transistorien valinnan. Tämä järjestelmä ei ole poikkeus, vaikka se näyttää erittäin yksinkertaiselta. Transistori VT1 - tulo, PNP-rakenne. Voit kokeilla erilaisia pienitehoisia PNP-transistoreita, mukaan lukien germanium, esimerkiksi MP42. Tällaiset transistorit, kuten 2N3906, BC212, BC546, KT361, ovat osoittautuneet hyvin tässä piirissä kuin VT1. Transistori VT2 - NPN-rakenteet, keski- tai pienitehoiset, KT801, KT630, KT602, 2N697, BD139, 2SC5707, 2SD2165 ovat tässä sopivia. Erityistä huomiota tulisi kiinnittää lähtötransistoreihin VT3 ja VT4 tai pikemminkin niiden vahvistukseen. KT805, 2SC5200, 2N3055, 2SC5198 ovat tässä hyvin sopivia. On välttämätöntä valita kaksi identtistä transistoria, joilla on lähinnä vahvistusta, kun taas sen pitäisi olla enemmän kuin 120. Jos lähtötransistorien vahvistukset ovat pienemmät kuin 120, niin transistori, jolla on suuri vahvistus (300 tai enemmän), on asetettava ohjainasteeseen (VT2).
Vahvistimen arvot
Jotkut piirin arvot valitaan piirin syöttöjännitteen ja kuormitusvastuksen perusteella, jotkut mahdolliset vaihtoehdot esitetään taulukossa:
Ei ole suositeltavaa nostaa yli 40 voltin syöttöjännitettä. Lähtötransistorit voivat vioittaa. A-luokan vahvistimien ominaisuus on suuri joutojuo ja siten transistorien voimakas kuumennus. Esimerkiksi syöttöjännitteellä, joka on esimerkiksi 20 volttia ja lepotilavirta on 1,5 ampeeria, vahvistin kuluttaa 30 wattia riippumatta siitä, syötetäänkö signaali tuloon vai ei. Tässä tapauksessa kullekin lähtö transistorille kuluu 15 wattia lämpöä, ja tämä on pienen juotosraudan teho! Siksi transistorit VT3 ja VT4 on asennettava suureen jäähdyttimeen lämpörasvalla.
Tämä vahvistin on alttiina itseherätyksille, joten Tsobel-piiri on asennettu ulostuloonsa: 10 ohmin vastus ja 100 nF kondensaattori, kytkettynä sarjaan maan ja lähtötransistorien yhteisen pisteen väliin (tämä piiri on esitetty katkoviivoilla kaaviossa).
Kun kytket vahvistimen ensimmäisen kerran virtajohdon rakoon, sinun on kytkettävä virta ampeeriin lepotilan virran ohjaamiseksi. Vaikka lähtötransistorit eivät ole lämmenneet käyttölämpötilaan, se voi uida vähän, tämä on aivan normaalia. Kun kytket virran ensimmäisen kerran, sinun on myös mitattava jännite lähtöstransistorien (VT4-kollektori ja VT3-emitteri) yhteisen pisteen ja maan välillä, syöttöjännitteestä tulee olla puolet.Jos jännite on erilainen ylös tai alas, sinun on kiertävä viritysvastus R2.
Vahvistinlevy:
[17 kt] (lataukset: 514)
Levy valmistetaan LUT-menetelmällä.
Minun kokoama vahvistin
Muutama sana kondensaattoreista, tuloista ja lähtöistä. Piirissä olevan tulokondensaattorin kapasitanssi on merkitty 0,1 μF, mutta tämä kapasiteetti ei riitä. Tulona tulee laittaa kalvokondensaattori, jonka kapasiteetti on 0,68 - 1 μF, muuten matalataajuuksien toivottu leikkaus on mahdollista. Lähtökondensaattorin C5 tulee ottaa vähintään jännitteellä kuin syöttöjännite, eikä kapasiteetti saa olla ahne.
Tämän vahvistimen piirin etuna on, että se ei aiheuta vaaraa kaiutinjärjestelmän kaiuttimille, koska kaiutin on kytketty eristyskondensaattorin (C5) kautta, mikä tarkoittaa, että kun ulostuloon tulee vakiojännite, esimerkiksi kun vahvistin menee rikki, kaiutin pysyy ehjänä, loppujen lopuksi kondensaattori ei menetä vakiojännitettä.
